Ä÷ÄÄ(Qualcomm)ÀÌ Áß±¹ÀÇ ÆÄ¿îµå¸® ¾÷ü SMIC¿Í Çù·ÂÇØ ½º³Àµå·¡°ï ÇÁ·Î¼¼¼¸¦ »ý»êÇÑ´Ù°í ¹àÇû´Ù.
Ä÷ÄÄÀº 3ÀÏ(ÇöÁö½Ã°£) º¸µµÀڷḦ ÅëÇØ Áß±¹¿¡¼ °¡Àå Å« ÷´Ü ¹ÝµµÃ¼ ÆÄ¿îµå¸® ¾÷ü Áß ÇϳªÀÎ SMIC¿Í Ä÷ÄÄÀÇ ÀÚȸ»ç Ä÷ÄÄ
Å×Å©³î·ÎÁö½º(Qualcomm Technologies, Inc.)°¡ Áß±¹¿¡¼ 28nm °øÁ¤ ±â¼ú°ú ¿þÀÌÆÛ »ý»ê ¼ºñ½º¸¦ ÀÌ¿ëÇØ Ä÷ÄÄ ½º³Àµå·¡°ï
ÇÁ·Î¼¼¼¸¦ »ý»êÇϱâ À§ÇØ Çù·ÂÇÑ´Ù°í ¹ßÇ¥Çß´Ù.
Ä÷ÄÄ Å×Å©³î·ÎÁö½ºÀÇ ¼¼°è ÃÖ´ë ÆÕ¸®½º ¹ÝµµÃ¼ Á¦Á¶»ç Áß Çϳª·Î 3G, 4G ¹× Â÷¼¼´ë ¹«¼± ±â¼ú°ú ¸ð¹ÙÀÏ ÀåÄ¡¿ë ½º³Àµå·¡°ï ÇÁ·Î¼¼¼¸¦
¸¸µé°í ÀÖ´Ù.
Ä÷ÄÄÀº À̹ø Çù·ÂÀÌ SMICÀÇ 28nm °øÁ¤ ¼º¼÷µµ ¹× ¹°·®À» Çâ»ó½ÃÅ°´Âµ¥ µµ¿òÀÌ µÉ °ÍÀ̸ç, 28nm PoliSiON(PS)°ú
High-K Metal Gate (HKMG) °øÁ¤ ¸ðµÎ¸¦ »ç¿ëÇØ ÃֽŠ½º³Àµå·¡°ï ÇÁ·Î¼¼¼ ¹°·® ÀϺθ¦ Áß±¹³»¿¡¼ »ý»êÇÒ °ÍÀ̶ó°í ¼³¸íÇß´Ù.
ÀÌÀü¿¡µµ SMIC´Â Ä÷ÄÄ Å×Å©³î·ÎÁö½º·ÎºÎÅÍ Àü·Â °ü¸®, ¹«¼±, ±×¸®°í ´Ù¾çÇÑ °øÁ¤ ³ëµå¿¡¼ IC Á¦Ç° °ü·Ã ¿¬°á¿¡ ´ëÇØ Áö¿øÀ» ¹Þ¾ÒÀ¸¸ç,
28nm ±â¼ú ¹× ¿þÀÌÆÛ Á¦Á¶ ¼ºñ½º¸¦ Æ÷ÇÔÇÏ´Â »õ·Î¿î Çù·ÂÀ¸·Î Àü·«Àû °ü°è¸¦ °ÈÇß´Ù.
SMIC´Â Ä÷ÄÄ Å×Å©³î·ÎÁö½º¿ÍÀÇ Çù·ÂÀ» ÅëÇØ ¼ºÀåÇÏ´Â ¸ð¹ÙÀÏ Ä¿¹Â´ÏÄÉÀÌ¼Ç ½ÃÀå¿¡ »õ·Î¿î 28nm µðÀÚÀÎ ±â¼ú°ú Á¦Ç°À» °ø±ÞÇÏ°í, ¾ÕÀ¸·Îµµ
3DIC°ú RF ÇÁ·ÐÆ®¿£µå ¿þÀÌÆÛ Á¦Á¶¿¡ Ä÷ÄÄÀÇ Áö¿øÀ» ¹Þ¾Æ ½º³Àµå·¡°ï Á¦Ç° Æ÷Æ®Æú¸®¿À È®ÀåÇÒ °èȹÀÌ´Ù.
ÇÑÆí, Ä÷ÄÄÀº ±× µ¿¾È ÁÖ·Î ´ë¸¸ÀÇ ÆÄ¿îµå¸® ¾÷ü TSMC¸¦ ÅëÇØ ½º³Àµå·¡°ï ÇÁ·Î¼¼¼¸¦ »ý»êÇØ¿ÔÁö¸¸, ÃÖ±Ù TSMC°¡ ¾ÖÇà A8 ÇÁ·Î¼¼¼¿¡
»ý»ê ÀÚ¿øÀ» ÁýÁßÇÏ¸é¼ ÆÄ¿îµå¸® ¾÷ü º¯°æÀ» °í·ÁÇÏ°í ÀÖ´Ù´Â ·ç¸Ó°¡ ³ª¿À±âµµ Çß´Ù.
±×·¯³ª ·ç¸Ó¿Í ´Þ¸® Ä÷ÄÄÀÌ ±Û·Î¹ú ÆÄ¿îµå¸®³ª »ï¼ºÀüÀÚ¸¦ ÅÃÇÏÁö ¾Ê°í Áß±¹ ÆÄ¿îµå¸® ¾÷ü SMIC¿ÍÀÇ Çù·ÂÀ» ¹ßÇ¥ÇÑ ¹è°æ¿¡´Â 20nm±Þ
Â÷¼¼´ë ½º³Àµå·¡°ï ÇÁ·Î¼¼¼ »ý»êÀº TSMC¿Í Çù·ÂÀ» À¯ÁöÇÏ¸é¼ SMIC¸¦ ÅëÇØ Áß±¹ ¹× Àú°¡Çü ½ÃÀåÀ» °ø·«Çϱâ À§ÇÑ 28nm »ý»ê ¹°·®À»
È®º¸Çϱâ À§ÇÑ Àü·«ÀÌ ¼û¾îÀÖ´Â °ÍÀ¸·Î º¸ÀδÙ.
|