삼성전자가 차세대 슈퍼컴퓨터용 800GB Z-SSD를 출시했다.
삼성전자는 30일 보도자료를 통해 기존 고성능 NVMe SSD보다 응답 속도가 5배 이상 빠른 세계 최고 성능의 800GB Z-SSD를 업계 최초로 출시하며 3차원 V낸드 플래시 기술의 새로운 프리미엄 시장을 열었다고 밝혔다.
지난 해 세계 최초 Z-SSD를 개발한 삼성전자는 이번 800GB 용량의 Z-SSD 제품을 출시하며 인공지능, 빅데이터, IoT와 같은 차세대 시장에서 캐시 데이터, 로그 데이터의 초고속 처리/분석에 최고 효율의 솔루션을 제공하게 됐다고 설명했다.
이번에 출시된 삼성전자 800GB Z-SSD는 3bit V낸드(V-NAND)보다 읽기 속도가 10배 이상 빠른 Z낸드(Z-NAND), 고속 응답(Ultra Low Latency) 컨트롤러, 그리고 1.5GB 용량의 초고속 초절전 LPDDR4 모바일 D램을 탑재해 기존 3bit 기반 고성능 NVMe SSD(PM963)의 쓰기 응답속도보다 5배 이상 빠른 16㎲와 1.7배 빠른 임의 읽기 성능 750K IOPS를 구현한다.
또한 800GB를 매일 30번씩 쓰는 경우에는 최대 5년의 사용 기간을 보증하며, 일일 사용량이 이를 더 초과할 경우에는 최대 총 쓰기 사용 용량을 42,000TB(테라바이트)까지 보증한다.
특히 최고 용량과 성능을 동시에 구현하면서도 신뢰성(MTBF, 평균 무고장 시간)을 2백만시간으로 2배 높여 Z-SSD 탑재 시스템이 성능, 내구성, 신뢰성을 동시에 구현할 수 있게 했다.
삼성전자는 이번 3세대(48단) V낸드 기반으로한 240GB/800GB 용량의 '1세대 싱글포트(Single Port) Z-SSD 라인업' 출시에 이어, 올해 안에 두개의 연결 포트로 가용성을 확장해 시스템 성능을 더욱 향상시킬 수 있는 '2세대 듀얼포트(Dual Port) Z-SSD 라인업'을 출시, Z-SSD 라인업을 확대하며, 프리미엄 스토리지 시장을 선도해 나갈 계획이라고 밝혔다.
한편 삼성전자는 2월 11일 미국 샌프란시스코에서 열리는 '국제반도체회로학회 2018(International Solid-State Circuits Conference)'에서 Z-SSD 핵심 기술과 라인업을 발표할 예정이다.
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