SK하이닉스가 HBM 5세대 메모리 양산을 발표했다.
SK하이닉스는 19일 보도자료를 통해 초성능 AI용 메모리 신제품인 HBM3E를 세계 최초로 양산해 3월 말부터 제품 공급을 시작한다고 밝혔다. 이는 지난해 8월 HBM3E 개발을 알린 지 7개월 만에 이룬 성과다.
HBM(High Bandwidth Memory)는 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적인으로 끌어올린 고성능 메모리로, 이번에 양산되는 HBM3E는 1세대(HBM)부터 2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)에 이어 5세대에 해당하는 HBM3 확장(Extended) 버전이다.
SK하이닉스에서 양산하는 HBM3E는 초당 1.18TB(테라바이트)의 데이터를 처리할 수 있으며, 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고 굳히는 어드밴스드 MR-MUF 공정을 적용해 열 방출 성능을 필름형 소재를 사용하던 이전 세대 대비 10% 향상시켰다. 특히, 어드밴스드 MR-MUF는 기존 공정보다 칩을 쌓을 때 가해지는 압력을 줄이고 휨 현상 제어도 향상됐다는 것이 SK하이닉스의 설명이다.
SK하이닉스는 HBM3에 이어 현존 D램 최고 성능이 구현된 HBM3E 역시 가장 먼저 고객에게 공급하게 됐다면서 HBM3E 양산도 성공적으로 진행해 AI 메모리 시장에서도 경쟁우위를 이어 가겠다고 밝혔다.
SK하이닉스 류성수 부사장(HBM Business담당)은 "당사는 세계 최초 HBM3E 양산을 통해 AI 메모리 업계를 선도하는 제품 라인업을 한층 강화했다"며, "그동안 축적해온 성공적인 HBM 비즈니스 경험을 토대로 고객관계를 탄탄히 하면서 ‘토털(Total) AI 메모리 프로바이더(Provider)’로서의 위상을 굳혀 나가겠다"고 말했다.
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