ST¸¶ÀÌÅ©·ÎÀÏ·ºÆ®·Î´Ð½º(STMicroelectronics, ÀÌÇÏ ST)°¡ Â÷¼¼´ë ÀÓº£µðµå ÇÁ·Î¼¼½Ì ±â±â¸¦ Áö¿øÇϱâ À§ÇØ ePCM(embedded Phase Change Memory)À» žÀçÇÑ 18nm FD-SOI(Fully Depleted Silicon On Insulator) ±â¼ú ±â¹ÝÀÇ Ã·´Ü ÇÁ·Î¼¼½º¸¦ ¹ßÇ¥Çß´Ù.
ST¿Í »ï¼º ÆÄ¿îµå¸®°¡ °øµ¿ °³¹ßÇÑ ÀÌ »õ·Î¿î ÇÁ·Î¼¼½º ±â¼úÀº ÀÓº£µðµå ÇÁ·Î¼¼½Ì ¾ÖÇø®ÄÉÀ̼ÇÀÇ ¼º´É°ú Àü·Â ¼Ò¸ð¸¦ À§ÇØ °¡°Ý °æÀï·ÂÀ» ³ôÀÌ´Â µ¿½Ã¿¡ ´õ Å« ¸Þ¸ð¸® ¿ë·®°ú ¾Æ³¯·Î±× ¹× µðÁöÅÐ ÁÖº¯ ÀåÄ¡¸¦ ÇÑÁõ ´õ ³ôÀº ¼öÁØÀ¸·Î ÅëÇÕÇÏ°Ô ÇØÁØ´Ù. ÀÌ »õ·Î¿î ±â¼ú¿¡ ±â¹ÝÇÑ ÃÖÃÊÀÇ Â÷¼¼´ë STM32 ¸¶ÀÌÅ©·ÎÄÁÆ®·Ñ·¯´Â 2024³â ÇϹݱ⿡ ÀϺΠ°í°´À» ´ë»óÀ¸·Î »ùÇÃÀ» Á¦°øÇÒ ¿¹Á¤À̸ç, 2025³â ÇϹݱ⿡ º»°Ý »ý»êµÉ ¿¹Á¤ÀÌ´Ù.
ÇöÀç »ç¿ë ÁßÀÎ ST 40nm eNVM(embedded Non-Volatile Memory) ±â¼ú°ú ºñ±³ÇßÀ» ¶§, ePCMÀÌ Àû¿ëµÈ 18nm FD-SOI´Â ÁÖ¿ä ¼º´ÉÀ» Å©°Ô Çâ»ó½ÃÄÑ ÁØ´Ù.
Àü·Â ´ëºñ ¼º´É 50% ÀÌ»ó Çâ»ó
2.5¹è ´õ ³ôÀº NVM(Non-Volatile Memory) ¹Ðµµ·Î ´õ Å« ¿ÂĨ ¸Þ¸ð¸® ±¸Çö °¡´É
3¹è ´õ ³ôÀº µðÁöÅÐ ¹Ðµµ·Î AI ¹× ±×·¡ÇÈ °¡¼Ó±â µîÀÇ µðÁöÅÐ ÁÖº¯ ÀåÄ¡¿Í ÃÖ÷´Ü º¸¾È ¹× ¾ÈÀü ±â´ÉÀÇ ÅëÇÕ Áö¿ø
3dB Çâ»óµÈ ÀâÀ½ Áö¼ö·Î ¹«¼± MCUÀÇ RF ¼º´É Çâ»ó Áö¿ø
ÀÌ ±â¼úÀº 3V·Î µ¿ÀÛÇÒ ¼ö ÀÖ¾î Àü¿ø °ü¸®, Àç¼³Á¤ ½Ã½ºÅÛ, Ŭ·Ï ¼Ò½º, µðÁöÅÐ/¾Æ³¯·Î±× ÄÁ¹öÅÍ¿Í °°Àº ¾Æ³¯·Î±× ±â´ÉÀ» Á¦°øÇϸç, ÀÌ·¯ÇÑ ¼º´ÉÀ» Áö¿øÇÏ´Â À¯ÀÏÇÑ 20nm ¹Ì¸¸ ±â¼úÀÌ´Ù.
¶ÇÇÑ, ÀÚµ¿Â÷ ¾ÖÇø®ÄÉÀ̼ǿ¡¼ ÀÔÁõµÈ ¹Ù ÀÖ´Â °·ÂÇÑ °í¿Â ÀÛµ¿, ¹æ»ç¼± °æÈ, µ¥ÀÌÅÍ º¸Á¸ ±â´ÉÀ¸·Î ±î´Ù·Î¿î »ê¾÷¿ë ¾ÖÇø®ÄÉÀ̼ǿ¡ ÇÊ¿äÇÑ ½Å·Ú¼ºÀ» Á¦°øÇÏ°í ÀÖ´Ù.
|