µ¥½ºÅ©Å¾¿ë ÀÎÅÚ ¾Ö·Î¿ì ·¹ÀÌÅ© ÄÚ¾î ¿ïÆ®¶ó 5 240FÀÇ ÄÚ¾î ŸÀÏ ±¸¼º¿¡ ´ëÇÑ ¼Ò½ÄÀÌ ³ª¿Ô´Ù.
¾Ö·Î¿ì ·¹ÀÌÅ©´Â ·¦ÅÍ ·¹ÀÌÅ© ½Ã¸®ÁîÀÇ ÈļÓÀ¸·Î °èȹµÈ ¸ðµ¨·Î, ¸ð¹ÙÀÏ¿¡ À̾î 'ÄÚ¾î ¿ïÆ®¶ó' À̸§ÀÌ »ç¿ëµÇ°í, ¼ÒÄÏÀº LGA 1700¿¡¼ LGA 1851·Î º¯°æµÈ´Ù.
À̹ø¿¡ ÄÚ¾î ±¸¼º °ü·Ã ¼Ò½ÄÀÌ ³ª¿Â ÄÚ¾î ¿ïÆ®¶ó 5 240F´Â ÇØ´ç Á¦Ç°±º Áß ÄÚ¾î i5-14400 ´ëü ¸ðµ¨·Î, 8(P)+16(E) ÄÚ¾î¿Í 6(P)+8(E) ÄÚ¾î ŸÀÏÀÌ »ç¿ëµÉ °ÍÀ¸·Î À̾߱âµÇ¾ú´Ù.
ÀÌ´Â ½ÇÁ¦·Î 8+16ÄÚ¾î¿Í 6+8ÄÚ¾î µÎ ¸ðµ¨ÀÌ È¥¿ëµÈ´Ù´Â °ÍÀÌ ¾Æ´Ï¶ó, ÃÖ´ë 8(P)ÄÚ¾î¿ë ŸÀÏ°ú 16(E)ÄÚ¾î¿ë ŸÀÏ, 6(P) ÄÚ¾î¿ë ŸÀÏ°ú 8(E) ÄÚ¾î¿ë ŸÀÏÀÌ »ç¿ëµÈµå´Â Àǹ̷Î, ½ÇÁ¦ Á¦Ç°´Ü¿¡¼ÀÇ ÄÚ¾î ±¸¼ºÀº 6(P)+4(E) ÄÚ¾î·Î 10ÄÚ¾î 10¾²·¹µå ±¸¼ºÀÌ µÇ¸®¶ó ¿¹»ó ÁßÀÌ´Ù.
ÇöÀç ÄÚ¾î ¿ïÆ®¶ó 5 260K¿Í ÄÚ¾î ¿ïÆ®¶ó 7 270K, ÄÚ¾î ¿ïÆ®¶ó 9 290K ¸ðµÎ 8(P) + 16(E) ÄÚ¾î ŸÀÏÀÌ »ç¿ëµÇÁö¸¸ ÄÚ¾î ¿ïÆ®¶ó 5 260K´Â 6+8ÄÚ¾î, ÄÚ¾î ¿ïÆ®¶ó 7 270K´Â 8+12ÄÚ¾î, ÄÚ¾î ¿ïÆ®¶ó 9 290K´Â 8+16ÄÚ¾î ±¸¼ºÀ¸·Î ¾Ë·ÁÁ® ÀÖ´Ù.
ÇÑÆí, 6+8ÄÚ¾î ´ÙÀÌ´Â ÀÎÅÚ 20A °øÁ¤, 8+16ÄÚ¾î ´ÙÀÌ´Â ÀÎÅÚ 20A µµ´Â TSMC 3nm °øÁ¤ »ç¿ëÀÌ ¿¹»ó ÁßÀÌ´Ù.
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