삼성전자가 세계 최초로 3차원 TSV 적층 기술을 적용해 최대 용량, 초절전 특성을 동시에 구현한 '128GB RDIMM D램 모듈'을 본격 양산에 들어갔다.
이번 128GB TSV D램 모듈은 데이터센터 및 서버용으로 사용되는 RDIMM(Registered Dual In-line Memory Module)로 D램 칩을 일반 종이 두께의 절반보다도 얇게 깎은 다음, 수백 개의 미세한 구멍을 뚫고 상단 칩과 하단 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극을 연결한 첨단 TSV(Through Silicon Via, 실리콘관통전극) 패키징 기술이 적용됐다.
128GB TSV D램 모듈은 삼성전자의 최신 20나노 공정을 적용한 8Gb DDR4 D램 칩 총 144개로 이루어져 있으며 외관상으로는 각 칩을 TSV 적층 기술로 4개씩 쌓은 패키지 36개가 탑재된 모습이다.
TSV 기술은 기존 와이어(금선)을 이용한 패키지보다 신호 전송 특성이 우수할 뿐만 아니라 최적화된 칩 동작회로를 구성할 수 있어 더욱 빠른 동작속도와 낮은 소비전력을 동시에 구현할 수 있다. 이번 128GB TSV D램 모듈은 기존 와이어(금선)를 이용한 64GB D램 모듈에 비해 용량 뿐만 아니라 속도도 2배 정도 빠른 2,400Mbps를 구현하면서도(최대 3,200Mbps까지 가능) 소비 전력량을 50% 줄인 것으로 알려졌다.
삼성전자는 지난 해 8월 TSV 기술로 64GB DDR4 D램 모듈 양산에 성공해 3차원 D램 시장에 진출한 데 이어 이번 128GB TSV D램 모듈 양산으로 D램 용량의 한계를 돌파했다며, 올해 중에 TSV 기술을 적용해 128GB DDR4 LRDIMM 제품도 연이어 양산해 'TSV 풀라인업'을 제공하고 초고용량 D램 수요 증가세에 맞춰 20나노 8Gb D램의 생산 비중을 빠르게 늘려 제조 경쟁력을 한 단계 높일 것이라고 밝혔다.
삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀 최주선 부사장은 "128GB D램 모듈 양산으로 글로벌 IT 고객들이 투자 효율성을 더욱 높인 차세대 서버 시스템을 적기에 출시할 수 있게 되었다"며, "향후 다양한 분야의 시장 선도 고객들과 기술 협력을 확대하고 글로벌 IT 시장 변화를 가속화해 소비자의 사용편리성을 높이는데 기여해 나갈 것"이라고 강조했다.
한편, 삼성전자는 TSV 기술을 활용해 대역폭을 크게 끌어올린 차세대 초고속 컴퓨팅용 HBM(High Bandwidth Memory) 제품에 이어 컨슈머 시장용 제품도 적기에 양산해 새로운 프리미엄 메모리 시장 확대를 주도하고 차별화된 사업 위상을 더욱 강화시켜 나갈 예정이다.
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