ÆÄ¿öÅ¥ºê¼¼¹Ì´Â 19ÀÏ “ÈÇÕ¹° Àü·Â¹ÝµµÃ¼ °íµµÈ ±â¼ú°³¹ß »ç¾÷”ÀÇ ³»¿ª»ç¾÷ÀÎ “xEV¿ë 1.2kV±Þ ¿ÂÀúÇ× 10m§Ù, 20m§Ù SiC MOSFET »ó¿ë ¼ÒÀÚ°³¹ß” °úÁ¦(Àü¹®±â°ü: Çѱ¹»ê¾÷±â¼ú±âȹÆò°¡¿ø)ÀÇ ÁÖ°ü±â°üÀ¸·Î ¼±Á¤µÇ¾ú´Ù°í ¹àÇû´Ù.
Áö³ 2023³â 11¿ù »ê¾÷Åë»óÀÚ¿øºÎ´Â “ÈÇÕ¹° Àü·Â¹ÝµµÃ¼ °íµµÈ ±â¼ú°³¹ß »ç¾÷”À» ÅëÇØ Àü·Â¹ÝµµÃ¼ »ê¾÷¿¡ ÇâÈÄ 5³â°£ 1,385¾ï¿øÀ» ÅõÀÔÇÑ´Ù´Â °èȹÀ» ¹ßÇ¥ÇÏ¿´´Ù. ¡ã±¹³» Àü±âÂ÷•¿¡³ÊÁö•»ê¾÷ ¼ö¿ä¿Í ¿¬°èÇÑ ¼ÒÀÚ ¹× Àü·Âº¯È¯ÀåÄ¡(¸ðµâ) »ó¿ëÈ ±â¼ú °³¹ß, ¡ã±¸µ¿È¸·Î(ÆÄ¿öIC) ±â¼ú °³¹ß, ¡ãÈÇÕ¹° Àü·Â¹ÝµµÃ¼ ÇٽɼÒÀç ±â¼ú °³¹ß µî Àü·Â¹ÝµµÃ¼ ¹ë·ùüÀÎ Àü¹Ý(¼ÒÀç-¼ÒÀÚ-IC-¸ðµâ)ÀÇ Çٽɱâ¼úÀ» È®º¸ÇÏ·Á´Â ¸ñÀûÀÌ´Ù. ±¹°¡Àü·«±â¼ú¿¡ ÇØ´çÇÏ´Â Àü·Â¹ÝµµÃ¼ ¹× °ü·Ã ¿¡³ÊÁöº¯È¯ ±â±âÀÇ ¿øõ±â¼úÀ» ±¹»êÈÇÏ¿© ±¹°¡ »ê¾÷ °æÀï·ÂÀ» °ÈÇÏ°Ú´Ù´Â ¹æħÀÌ´Ù.
ÆÄ¿öÅ¥ºê¼¼¹Ì´Â 2013³â 3¿ù ¼³¸³µÈ Àü·Â¹ÝµµÃ¼ Àü¹® ±â¾÷À¸·Î ±Û·Î¹ú À¯ÀÏÇÏ°Ô SiC(źȱԼÒ), Ga2O3(»êÈ°¥·ý), Si(½Ç¸®ÄÜ) 3°³ ¹°¼º¿¡ ´ëÇÑ ¼ÒÀÚ¸¦ ÀÚü¼³°è ÇÒ ¼ö ÀÖ´Â ¿ª·®À» °¡Áø ¾÷üÀÌ´Ù. ÃÖ±Ù¿£ Áß±¹ ±Û·Î¹ú Àü±âÀÚµ¿Â÷ ±â¾÷¿¡ ´ë¿ë·® SJ MOSFETÀ» Àû¿ë ¹× ÆǸÅÇϸç Á÷Á¢ ¼³°èÇÑ Àü·Â¹ÝµµÃ¼ÀÇ ¼º´É°ú ±â¼ú·ÂÀ» ÀÎÁ¤¹Þ¾Ò´Ù. ÀÌÈÄ 2023³â ¾ç¸é³Ã°¢ ¸ðµâ¿ë SiC MOSFET ÈÄ°øÁ¤ ±â¼úÀ» ³»ÀçÈÇÏ¿© EV¿¡ žÀçµÉ ¼ö ÀÖ´Â ±â¼úÀû ±â¹Ýµµ ¸¶·ÃÇÏ¿´´Ù.
ÆÄ¿öÅ¥ºê¼¼¹Ì°¡ ±Ý¹ø »ç¾÷À¸·Î ÃßÁøÇÒ ±â¼úÀº Àü±âÀÚµ¿Â÷¿ë 1,200V 10m§Ù / 20m§Ù SiC MOSFET °³¹ßÀÌ´Ù. 2023³â °³¹ß ¿Ï·áÇÑ ¾ç¸é³Ã°¢ ¸ðµâ¿ë SiC MOSFET ÈÄ°øÁ¤ ±â¼úÀ» ¹ÙÅÁÀ¸·Î 90% ÀÌ»ó ¼öÀÔ¿¡ ÀÇÁ¸ÇÏ°í ÀÖ´Â SiC Àü·Â¹ÝµµÃ¼ ½ÃÀåÀ» ±¹»êÈÇÒ ¿¹Á¤ÀÌ´Ù. ³ª¾Æ°¡ ´ë¿ë·® ģȯ°æ ¿¡³ÊÁö ¹× »ê¾÷¿ë ÀüÀÚ±â±â±îÁö ´ëÀÀÇÒ ¼ö ÀÖ´Â ¿©°ÇÀ» °®Ãß¾î ±¹³» Àü·ÂÀüÀÚ »ê¾÷ °æÀï·Â °È¿¡µµ ±â¿©ÇÒ °èȹÀÌ´Ù.
ÆÄ¿öÅ¥ºê¼¼¹ÌÀÇ °Å¿µ ´ëÇ¥ÀÌ»ç´Â “10³â°£ÀÇ R&D ³ëÇÏ¿ì°¡ ÀÎÁ¤¹Þ°Ô µÇ¾î ¸Å¿ì ±â»Ú´Ù. ½Ç¸®ÄÜ Àü·Â¹ÝµµÃ¼¿¡¼ ÈÇÕ¹° Àü·Â¹ÝµµÃ¼·Î Æз¯´ÙÀÓÀÌ º¯ÈÇÏ°í ÀÖ´Â Ãß¼¼¿¡ Àû±Ø ´ëÀÀÇÏ¿© Â÷¼¼´ë ¹ÝµµÃ¼ Çõ¸íÀ» ¼±µµÇÒ ¼ö Àִ ȸ»ç·Î °Åµì³ª°Ú´Ù”°í ¹àÇû´Ù.
|