삼성전자와 SK하이닉스 (SK Hynix) 등의 주요 DRAM 제조사는 DDR3 메모리의 후속인 차세대 DDR4 메모리를 개발하고 있는 것으로 알려졌으며, 이에 대한 정보들이 공개되고 있다.
xbitlabs는 삼성전자가 인텔 IDF 2012를 통해 DDR4 메모리 칩과 이들로 구성된 DDR4 메모리 모듈, 그리고 앞으로의 DDR4 로드맵을 공개했다고 전했다.
DDR4 표준 메모리는 시장의 상황과 기술적인 문제와 같은 요인으로 인해 등장이 늦어지고 있다. DDR4 표준은 2011년 스펙이 완료되고 2012년 첫 제품을 생산할 것으로 계획되었으나 이후 많은 재디자인과 계획 변경을 통해 차세대 DDR4 메모리는 올해 말 표준이 정립되고 인텔은 2014년 차세대 프로세서를 통해 지원할 계획인 것으로 알려졌다.
삼성전자가 소개한 DDR4 메모리 모듈은 PC4-17000 (DDR4-2133MHz) 16GB로 284핀을 이용한다. 메모리 칩은 K4A46045QB이며, 올해 초 공개된 메모리 칩이다. 메모리 모듈에는 스위치/ 버퍼칩으로 Ti (Texas Instruments)가 아닌 ITD의 칩이 적용되었다.
삼성전자는 DDR4 생산을 위한 300mm 웨이퍼 (Wafer)도 공개했으며, 30nm급 공정 기술로 제조된다. 샘플 생산이 가능해진 만큼 시제품 생산이 가능해질 것이나 아직은 DDR4 표준의 정립이 98% 수준이고 시장의 활성화 등을 고려해 본격적인 생산은 이루어지지 않고 있다고 전했다.
삼성전자가 공개한 로드맵에는 DDR4 칩과 모듈에 대한 내용이 확인되며, 삼성전자는 내년에 속도를 개선한 고용량 DDR4-2400MHz 모듈을 개발할 것으로 알려졌으며, 첫 번째 DDR4 메모리 모듈은 2014는 등장할 서버용이 될 것으로 알려졌다. DDR4-2666MHz의 동작 속도를 가진 제품으로 삼성전자와 인텔은 DDR4 서버 메모리 모듈을 3.20GHz까지 끌어올릴 계획이다.
DDR4 메모리는 개발이 진행 중이며, 고속의 동작과 서버와 랩탑, 데스크탑 PC, 소비자 가전 제품 등에 다양하게 활용될 수 있을 것으로 알려졌다. DDR4 로드맵에 따르면 VDDQ는 1.2V이며, 앞으로 더 줄이기 위해 노력 중이라고 전했다. 핀당 데이터 전송률은 1.6GT/s (Giga Transfers per second)로 최대 3.2GT/s에 도달가히 위해 개발 중이며, 다른 다양한 기술 역시 개선이 이루어지고 있다.
DDR4 메모리 서브 시스템은 매 메모리 채널에 하나의 메모리 모듈만을 지원하고 있다. DRAM 제조사들은 고용량 DDR4 칩을 위해 TSV (Through-silicon-via) 기술을 도입해 메모리 칩의 용량을 크게 개선할 것으로 알려졌다. 서버에서 특별한 스위치는 하나의 채널에 하나의 모듈 제한을 보완하고 있다고 전했다.
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